Samsung Electronics wprowadza dysk Z-SSD™ o pojemności 800 GB dla systemów HPC i aplikacji AI
Nowy dysk Z-SSD oferuje nową jakość w zakresie pamięci dla urządzeń wykorzystujących sztuczną inteligencję (AI), big data i IoT, zapewniając najwyższą wydajność, niezawodność oraz szybkość działania.
Samsung Electronics wprowadził na rynek dysk SSD o pojemności 800 GB – SZ985 Z-SSD™, przeznaczony do obsługi najbardziej zaawansowanych aplikacji dla przedsiębiorstw, w tym do superkomputerów do analizy AI.
Nowy dysk Z-SSD jest najbardziej wydajnym rozwiązaniem do przechowywania danych z pamięcią podręczną o dużej szybkości i możliwościach przetwarzania informacji z dzienników aktywności oraz innych aplikacji pamięci masowych dla przedsiębiorstw. Zaawansowane programy dla biznesu, wymagające odpowiedniej mocy obliczeniowej są projektowane w celu zaspokojenia szybko rosnącego popytu związanego z rynkami AI, big data i IoT.
Nowy, jednoportowy, czteropasmowy Z-SSD jest wyposażony w chipy Z-NAND, które zapewniają 10-krotnie wyższą wydajność odczytu niż 3-bitowe układy V-NAND, wraz z 1,5 GB LPDDR4 DRAM i kontrolerem o wysokiej wydajności. Zaopatrzony w najbardziej zaawansowane komponenty w branży, 800-GB dysk Z-SSD gwarantuje 1,7-krotnie większą wydajność odczytu losowego przy 750 K IOPS i pięciokrotnie mniejsze opóźnienie zapisu – wynoszące 16 mikrosekund, w porównaniu z NVMe SSD PM963, opartego na 3-bitowych układach V-NAND. Dysk Z-SSD zapewnia również losową prędkość zapisu do 170 K IOPS.
Ze względu na wysoką niezawodność, dysk Z-SSD o pojemności 800 GB gwarantuje do 30 zapisów dysku dziennie (DWPD) przez pięć lat, czyli ogółem 42 petabajty. Przekłada się to na przechowywanie ilości danych odpowiadającej około 8,4 milionom filmów Full HD o wielkości 5 GB w okresie pięciu lat. Niezawodność nowego dysku Z-SSD dodatkowo podkreśla średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF) wynoszący dwa miliony godzin.
Samsung zaprezentuje swój nowy dysk Z-SSD w wersjach 800 GB i 240 GB oraz powiązane technologie podczas ISSCC 2018, Międzynarodowej Konferencji Obwodów Półprzewodnikowych, która odbędzie się w dniach 11-15 lutego w San Francisco.
